[发明专利]一种半导体晶棒的拉晶方法在审
| 申请号： | 201510211339.0 | 申请日： | 2015-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN104831344A | 公开（公告）日： | 2015-08-12 |
| 发明（设计）人： | 陈磊;刘栓红;赵丽萍;张文涛;蔡水占;郭晶晶;张会超;陈永平;王东胜;惠小青;辛世明;田红丽 | 申请（专利权）人： | 河南鸿昌电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 461500 河南省许昌*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体生产技术领域，名称是一种半导体晶棒的拉晶方法，晶棒是在拉晶炉中进行的，包括以下步骤：a、将晶棒在280—320℃时进行第一次拉晶；b、将晶棒冷却到30—40℃后，进行第二次拉晶，第二次拉晶的温度是300—340℃；c、将晶棒冷却到30—40℃后，进行第三次拉晶，第三次拉晶的温度是280—320℃，上述的拉晶步骤是在振幅1毫米、频率30赫兹情况下进行的，这样的半导体晶棒的拉晶方法具有生产出的晶棒品质更好，进一步生产的半导体致冷件致冷效率更高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体晶棒的拉晶方法，晶棒是在拉晶炉中进行的，包括以下步骤：a、将晶棒在280—320℃时进行第一次拉晶；b、将晶棒冷却到30—40℃后，进行第二次拉晶，第二次拉晶的温度是300—340℃。
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