[发明专利]一种具有垂直取向的磁性纳米反点阵列膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201510210173.0 | 申请日： | 2015-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN104911555A | 公开（公告）日： | 2015-09-16 |
| 发明（设计）人： | 许小红;邓晨华;曾浩;王芳;乔新玉 | 申请（专利权）人： | 山西师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/18;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅;赵静 |
| 地址： | 041000*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有垂直取向的磁性纳米反点阵列膜及其制备方法，其制备方法如下：1)采用磁控溅射的方法于衬底上依次沉积CoPt/Ag薄膜；2)对所得衬底/CoPt/Ag薄膜进行热处理，得到具有高度垂直取向的L10-CoPt/Ag薄膜；3)将双通多孔氧化铝模板转移到L10-CoPt薄膜上，得到衬底/L10-CoPt/Ag薄膜/氧化铝模板，以双通多孔氧化铝作为掩膜板进行离子束刻蚀，即可得到所述磁性纳米反点阵列膜。其具有良好垂直取向和热稳定性，孔径可小于50nm，能实现孔密度和尺寸的可调，同时可减小过渡区噪声，提高信噪比，能应用于超高密度垂直磁存储中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 垂直 取向 磁性 纳米 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有垂直取向的磁性纳米反点阵列膜的制备方法，包括如下步骤：1)采用磁控溅射的方法于衬底上依次沉积CoPt/Ag薄膜；2)对步骤1)中所得衬底/CoPt/Ag薄膜进行热处理，得到具有垂直取向的L10‑CoPt/Ag薄膜；3)将双通多孔氧化铝模板转移到步骤2)中得到的L10‑CoPt/Ag薄膜上，得到衬底/L10‑CoPt/Ag薄膜/氧化铝模板，以双通多孔氧化铝作为掩膜板进行离子束刻蚀，即可得到所述磁性纳米反点阵列膜。
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