[发明专利]黑色矩阵的制作方法有效

专利信息
申请号: 201510208719.9 申请日: 2015-04-28
公开(公告)号: CN104777665B 公开(公告)日: 2017-09-01
发明(设计)人: 熊源;许勇 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1335 分类号: G02F1/1335;G02F1/1333
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所44265 代理人: 林才桂
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种黑色矩阵的制作方法,通过在基板上涂布包含正性光刻胶的黑色矩阵光阻体系,利用正性光刻胶被UV光照射的区域会在显影过程中被显影液去除,而遮光区域得以保留的特性,对黑色矩阵光阻体系形成的光阻层进行两次不同的曝光、显影过程,从而解决了BOA制程中黑色矩阵光阻体系涂布后对位标记难以识别的问题。
搜索关键词: 黑色 矩阵 制作方法
【主权项】:
一种黑色矩阵的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1、提供基板(1)及黑色矩阵光阻体系,并在基板(1)上涂布所述黑色矩阵光阻体系,形成光阻层(2);所述黑色矩阵光阻体系至少包含以下两种成分:正性光刻胶及遮光材料;其中,所述基板(1)上设置有数个对位标记(14),所述光阻层(2)覆盖了该数个对位标记(14);步骤2、对所述光阻层(2)进行第一次曝光,该次曝光为盲曝,无需对位标记(14),利用曝光机的机台坐标,对光阻层(2)上对位标记(14)可能存在的较大区域进行曝光,显影和剥离后暴露出原本覆盖在光阻层(2)下面的对位标记(14);步骤3、利用暴露出的对位标记(14)进行精确对位后,按照黑色矩阵的设计图形对光阻层(2)进行第二次曝光,显影和剥离后,形成黑色矩阵(3)。
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