[发明专利]黑色矩阵的制作方法有效
申请号: | 201510208719.9 | 申请日: | 2015-04-28 |
公开(公告)号: | CN104777665B | 公开(公告)日: | 2017-09-01 |
发明(设计)人: | 熊源;许勇 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1335 | 分类号: | G02F1/1335;G02F1/1333 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种黑色矩阵的制作方法,通过在基板上涂布包含正性光刻胶的黑色矩阵光阻体系,利用正性光刻胶被UV光照射的区域会在显影过程中被显影液去除,而遮光区域得以保留的特性,对黑色矩阵光阻体系形成的光阻层进行两次不同的曝光、显影过程,从而解决了BOA制程中黑色矩阵光阻体系涂布后对位标记难以识别的问题。 | ||
搜索关键词: | 黑色 矩阵 制作方法 | ||
【主权项】:
一种黑色矩阵的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1、提供基板(1)及黑色矩阵光阻体系,并在基板(1)上涂布所述黑色矩阵光阻体系,形成光阻层(2);所述黑色矩阵光阻体系至少包含以下两种成分:正性光刻胶及遮光材料;其中,所述基板(1)上设置有数个对位标记(14),所述光阻层(2)覆盖了该数个对位标记(14);步骤2、对所述光阻层(2)进行第一次曝光,该次曝光为盲曝,无需对位标记(14),利用曝光机的机台坐标,对光阻层(2)上对位标记(14)可能存在的较大区域进行曝光,显影和剥离后暴露出原本覆盖在光阻层(2)下面的对位标记(14);步骤3、利用暴露出的对位标记(14)进行精确对位后,按照黑色矩阵的设计图形对光阻层(2)进行第二次曝光,显影和剥离后,形成黑色矩阵(3)。
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