[发明专利]一种芯片有效
| 申请号： | 201510206920.3 | 申请日： | 2015-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN106158825B | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 刘珂;沈磊;俞军 | 申请（专利权）人： | 上海复旦微电子集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 潘彦君;吴敏 |
| 地址： | 200433 上海市杨浦区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种芯片，包括寄存器，所述芯片还包括：多晶硅层以及依次叠置的至少两层金属层，所述多晶硅层和与其相邻的金属层耦接；所述多晶硅层以及金属层中均存在预设开关区域，所述预设开关区域包括：适于接收电平信号输入的开关金属走线；适于将所在层的开关金属走线与相邻层的开关金属走线耦接的开关通孔；适于将所在层中的开关金属走线与开关通孔耦接的开关；叠置在最上层的金属层的开关金属走线与预设的寄存器耦接。采用所述芯片，可以简化芯片标识符修改流程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种芯片，包括寄存器，其特征在于，所述芯片还包括：多晶硅层以及依次叠置的至少两层金属层，所述多晶硅层和与其相邻的金属层耦接；所述多晶硅层以及金属层中均存在预设开关区域，所述预设开关区域包括：适于接收电平信号输入的开关金属走线；适于将所在层的开关金属走线与相邻层的开关金属走线耦接的开关通孔；适于将所在层中的开关金属走线与开关通孔耦接的开关；叠置在最上层的金属层的开关金属走线与预设的寄存器耦接；其中，多晶硅层的开关金属走线适于接收预设的电平信号生成器输出的电平信号，所述电平信号依序通过所述叠置的金属层的开关金属走线传输至所述寄存器。
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