[发明专利]一种边缘出气的可控温加热盘在审
| 申请号： | 201510206512.8 | 申请日： | 2015-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN104835761A | 公开（公告）日： | 2015-08-12 |
| 发明（设计）人： | 陈英男;姜崴;郑旭东;关帅 | 申请（专利权）人： | 沈阳拓荆科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C23C14/22;C23C16/46 |
| 代理公司： | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人： | 甄玉荃;霍光旭 |
| 地址： | 110179 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种边缘出气的可控温加热盘，主要解决现有的加热盘及静电卡盘所存在的无法快速、准确控制晶圆温度的问题。所述加热盘在其内部分布加热丝及沿圆周方向设置一个导热介质储存及流动空间；所述加热盘圆周外围设有气体出口；所述加热盘的中心设有气体回收孔。上述导热介质储存及流动空间采用热传导介质管路，可使用铸造、焊接或预埋管路的方式实现。本发明结构合理，使得导热介质能够直接、快速、均匀的分布在加热盘与晶圆之间，以实现对晶圆温度的快速准确控制，进一步提高晶圆的成品率及半导体沉积设备的生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 边缘 出气 可控 加热 | ||
【主权项】：
一种边缘出气的可控温加热盘，包括加热盘，其特征在于：所述加热盘在其内部分布加热丝及沿圆周方向设置一个导热介质储存及流动空间；所述加热盘圆周外围设有气体出口；所述加热盘的中心设有气体回收孔。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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