[发明专利]二芯片集成桥式整流器在审
| 申请号: | 201510204537.4 | 申请日: | 2015-04-27 |
| 公开(公告)号: | CN106158855A | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
| 发明(设计)人: | 林子文;吴孝嘉 | 申请(专利权)人: | 汉磊科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/08 | 分类号: | H01L27/08;H01L27/02;H02M7/162 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;黄健 |
| 地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明提供一种二芯片集成桥式整流器,是将进行桥式整流的四个二极管中的两个集成为一个对称式PIN二极管位于一芯片中,并将另两个二极管集成进控制电路的CMOS制程而与控制电路共存于另一芯片中而得。本发明提供的二芯片集成桥式整流器可以简化电路设计。 | ||
| 搜索关键词: | 芯片 集成 整流器 | ||
【主权项】:
一种二芯片集成桥式整流器,其等效电路包括第一至第四二极管,其特征在于,第一二极管的阳极与第二二极管的阳极耦接至一输出地端,第一二极管的阴极与第三二极管的阳极耦接至一输入端,第二二极管的阴极与第四二极管的阳极耦接至一输入地端,且第三二极管的阴极与第四二极管的阴极耦接至一输出端,所述桥式整流器包括:集成了第三二极管与第四二极管的一对称式PIN二极管,位于第一芯片中,其中属于第三二极管的部分的结构与属于第四二极管的部分的结构对称;以及第一二极管与第二二极管的一等效元件,所述等效元件被集成进一控制电路的一互补式金氧半导体制程,而与所述控制电路共存于第二芯片中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





