[发明专利]SiCMOSFET仿真模型的建模方法有效
| 申请号： | 201510203136.7 | 申请日： | 2015-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN104899350B | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 李虹;徐艳明;郑琼林;杨志昌;林飞;杨中平;郭希铮;游小杰;孙湖 | 申请（专利权）人： | 北京交通大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100044*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅SiC MOSFET仿真模型的建模方法，包括以下步骤采用等效电路建模的方法对SiC MOSFET进行建模以获得第一模型；根据SiC MOSFET的Datasheet提供的转移特性曲线和输出特性曲线以及第一模型对SiC MOSFET的静态特性进行建模以获得SiC MOSFET的静态仿真模型；以及根据Datasheet提供的C‑VDS曲线以及第一模型对SiC MOSFET的动态特性进行建模以获得SiC MOSFET的动态仿真模型。通过该建模方法能够建立更为精确的SiC MOSFET仿真模型，并且建模方法具有通用性。 | ||
| 搜索关键词： | sic mosfet 仿真 模型 建模 方法 | ||
【主权项】：
一种SiC MOSFET仿真模型的建模方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，采用等效电路建模的方法对所述SiC MOSFET进行建模以获得第一模型；S2，根据所述SiC MOSFET的Datasheet提供的转移特性曲线和输出特性曲线以及所述第一模型对所述SiC MOSFET的静态特性进行建模以获得所述SiC MOSFET的静态仿真模型；以及S3，根据所述Datasheet提供的C‑VDS曲线以及所述第一模型对所述SiC MOSFET的动态特性进行建模以获得所述SiC MOSFET的动态仿真模型，其中，所述C‑VDS曲线为所述SiC MOSFET的电容与漏源电压之间的关系曲线，在步骤S3中，通过获取所述第一模型中的栅源电容CGS的容值、所述第一模型中的漏源电容CDS的容值以及所述第一模型中的栅漏电容CGD的容值以获得所述SiC MOSFET的动态仿真模型，并且通过对所述第一模型中的所述栅漏电容CGD进行建模以获得第二模型，并根据所述第二模型获取所述栅漏电容CGD的容值，所述第二模型以下述公式进行表达：k(VGD)=VGD-|VGD|2Cg=a(1-k(VGD)b)c-aCGD=Cg+CGDM]]>其中，k(VGD)为开关函数，Cg为变值电容，CGD为栅漏电容，CGDM为恒值电容，b＝φD，c＝1‑m，QD为二极管存储的电荷，m为电容梯度因子，φD为二极管自建电势。
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