[发明专利]二极管元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510200461.8 | 申请日： | 2015-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN106158984B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 綦振瀛;王柏翔;杨竣杰;李庚谚 | 申请（专利权）人： | 中央大学;台达电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 王芝艳;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种二极管元件，包括一III‑N化合物材料层，III‑N化合物材料层具有一通道区位于其中。一阴极区位于III‑N化合物材料层上。一第一阳极区位于III‑N化合物材料层上，且延伸至III‑N化合物材料层内，第一阳极区的底部位于通道区下方。一第二阳极区位于阴极区与第一阳极区之间的III‑N化合物材料层上，且延伸至III‑N化合物材料层内。第二阳极区包括一高势垒区，高势垒区邻接第一阳极区的一侧壁。本发明亦公开一种二极管元件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种二极管元件，包括：一III‑N化合物材料层，具有一通道区位于其中；一阴极区，位于该III‑N化合物材料层上；一第一阳极区，位于该III‑N化合物材料层上，且延伸至该III‑N化合物材料层内，其中该第一阳极区的一底部位于该通道区下方；以及一第二阳极区，位于该阴极区与该第一阳极区之间的该III‑N化合物材料层上，且延伸至该III‑N化合物材料层内，其中该第二阳极区包括一高势垒区，该高势垒区邻接该第一阳极区的一侧壁；其中该高势垒区局部覆盖该第一阳极区的该侧壁，而露出该侧壁邻近于该通道区的一部分。
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