[发明专利]一种阵列基板及其制造方法、显示装置

摘要

本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。该方法包括在衬底基板上形成第一栅极金属图形；在形成有所述第一栅极金属图形的衬底基板上形成栅极绝缘层、第一有源层图形和源漏极金属图形；在形成有所述源漏极金属图形的衬底基板上形成第一保护层图形和过孔图形；在形成有所述第一保护层图形的衬底基板上形成第二保护层图形、第二有源层图形和像素电极图形。本发明解决了阵列基板的显示性能较差且成本较高的问题，实现了提高显示性能且降低成本的效果，用于显示装置。

主权项

一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基板上形成第一栅极金属图形；在形成有所述第一栅极金属图形的衬底基板上形成栅极绝缘层、第一有源层图形和源漏极金属图形；在形成有所述源漏极金属图形的衬底基板上形成第一保护层图形和过孔图形；在形成有所述第一保护层图形的衬底基板上形成第二保护层图形、第二有源层图形和像素电极图形；所述在形成有所述第一保护层图形的衬底基板上形成第二保护层图形、第二有源层图形和像素电极图形，包括：在形成有所述过孔图形的衬底基板上通过磁控溅射工艺沉积第三氧化物透明半导体薄膜；在沉积有所述第三氧化物透明半导体薄膜的衬底基板上通过PECVD工艺沉积保护层薄膜；在沉积有所述保护层薄膜的衬底基板上涂覆一层光刻胶；采用灰色或半色调掩膜板对涂覆的光刻胶进行曝光、显影形成所述第二保护层图形、所述第二有源层图形和所述像素电极图形；或者，在形成有所述过孔图形的衬底基板上通过磁控溅射工艺沉积第三氧化物透明半导体薄膜；在沉积有所述第三氧化物透明半导体薄膜的衬底基板上通过PECVD工艺沉积保护层薄膜；同时，在沉积有所述保护层薄膜的衬底基板上沉积第三金属层；在沉积有所述第三金属层的衬底基板上涂覆一层光刻胶；采用灰色或半色调掩膜板对涂覆的光刻胶进行曝光、显影形成所述第二保护层图形、所述第二有源层图形、第二栅极金属图形和所述像素电极图形。