[发明专利]一种基于金属电极的纳米线阵列的生长方法有效
| 申请号： | 201510194994.X | 申请日： | 2015-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN104909336A | 公开（公告）日： | 2015-09-16 |
| 发明（设计）人： | 任大海;尤政;边潍;魏福建;郭甜薇 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 张文宝 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子工艺领域和仪器仪表技术领域，特别涉及一种基于金属电极的纳米线阵列的生长方法。本发明方法步骤包括：步骤1，在多孔模板两侧分别制作电极A和电极B，其中电极B需确保不会堵塞多孔模板的孔洞；所述电极A为溅射得到的金属电极，所述电极B为溅射得到的金属电极；步骤2，电极A和电极B分别与电源相连，并浸入装有电解液的溶液槽中，直至生长出均匀的纳米线阵列。相比于采用化学机械抛光来保证纳米线长度的一致性的方法，本发明方法对于纳米线的长度控制更加简单易行，不再需要抛光工艺介入。同时，本发明所提供的工艺途径避免了抛光过程对多孔模板的损伤，有利于良品率的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 金属电极 纳米 阵列 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种基于金属电极的纳米线阵列的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，在多孔模板两侧分别制作电极A和电极B，其中电极B确保不会堵塞多孔模板的孔洞；所述电极A为溅射得到的金属电极，所述电极B为溅射或原子层沉积得到的金属电极；步骤2，电极A和电极B分别与电源相连，并浸入装有电解液的溶液槽中，直至生长出均匀的纳米线阵列。
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