[发明专利]有机电致发光显示设备有效
| 申请号： | 201510194545.5 | 申请日： | 2008-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN104916702B | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 中山昌哉 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/32 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 张伟,王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种有机电致发光设备，该设备包括有机电致发光元件，该有机电致发光元件包括有机层，该有机层包括设置在像素电极和上电极之间的发光层；以及驱动TFT，该驱动TFT向所述有机电致发光元件提供电流，其中所述驱动TFT包括衬底，栅电极，栅极绝缘膜，有源层，源电极和漏电极，并且其中在所述有源层与所述源电极和所述漏电极中的至少一个之间设置电阻层。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 电致发光 显示 设备 | ||
【主权项】：
一种有机电致发光显示设备，包括：有机电致发光元件，所述有机电致发光元件包括有机层，所述有机层包括设置在像素电极和上电极之间的发光层；以及驱动TFT，所述驱动TFT向所述有机电致发光元件提供电流，其中所述驱动TFT包括衬底、栅电极、栅极绝缘膜、有源层、源电极和漏电极，并且其中在所述有源层与所述源电极和所述漏电极中的至少一个之间设置电阻层，其中：(i)所述有源层和所述电阻层由包括In‑Ga‑Zn‑O的非晶氧化物半导体所形成；(ii)所述有源层的导电率为10‑1Scm‑1到102Scm‑1；(iii)所述电阻层的导电率为10‑9Scm‑1到10‑2Scm‑1；(iv)所述有源层的导电率与所述电阻层的导电率的比值(所述有源层的导电率/所述电阻层的导电率)为102到108；(v)所述电阻层的厚度与所述有源层的厚度的比值大于1并且不超过100；并且(vi)所述有源层与所述栅极绝缘膜接触，而所述电阻层与所述源电极和所述漏电极中的至少一个接触。
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