[发明专利]一种三结叠层太阳能电池及其制造方法

摘要

本发明公开了一种三结叠层太阳能电池及其制造方法，采用分子束外延方法，以p型GaSb单晶片为衬底材料依次外延生长底电池(p-GaSb，n-GaSb)、第一隧穿结(n++GaSb、p++GaSb)、中间电池(p-CdSe、n-CdSe)、第二隧穿结(n++CdSe、p++ZnTe)和顶电池(p-ZnTe、n-ZnTe)。本发明的叠层太阳能电池既充分利用了II-VI族和III-V族半导体材料在禁带宽度上互补的特点，又利用了它们在晶格匹配方面的优势，克服了仅依赖III-V族半导体材料很难同时满足禁带宽度互补和晶格匹配双重技术要求的难题，可以大幅度提高太阳能电池的光电转换效率。

主权项

一种三结叠层太阳能电池，其特征在于，所述三结叠层太阳能电池包括通过在衬底上依次外延生长形成的底电池、第一隧穿结、中间电池、第二隧穿结及顶电池，所述中间电池和顶电池采用II‑VI族半导体材料制造，而底电池采用III‑V族半导体材料制造。