[发明专利]高陶瓷产率聚碳硅烷的合成方法有效
| 申请号: | 201510192549.X | 申请日: | 2015-04-22 |
| 公开(公告)号: | CN104744706B | 公开(公告)日: | 2017-07-21 |
| 发明(设计)人: | 邵长伟;王军;王浩;简科;谢征芳;王小宙;苟燕子 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号: | C08G77/60 | 分类号: | C08G77/60 |
| 代理公司: | 北京中济纬天专利代理有限公司11429 | 代理人: | 胡伟华 |
| 地址: | 410073 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种高陶瓷产率聚碳硅烷的合成方法,将分子量在500‑1500的聚碳硅烷与烯丙基化合物按100(12~4)混合后,溶于二甲苯,置于反应容器中,加入有机锂试剂,在保护气体保护下升温进行反应,控制最高反应温度为100~150℃,并保温反应2~8小时,反应结束后,过滤除去不溶物,蒸除溶剂,得到高陶瓷产率聚碳硅烷。本发明具有反应条件易于控制、方法简便,产物具有自交联能力,并且Si‑H与烯丙基含量可调的特点,可以方便制备液态或固态高陶瓷产率聚碳硅烷。 | ||
| 搜索关键词: | 陶瓷 产率聚碳 硅烷 合成 方法 | ||
【主权项】:
一种高陶瓷产率聚碳硅烷的合成方法,其特征在于:将分子量在500~1500的聚碳硅烷与烯丙基化合物按100:(12~4)混合后,溶于二甲苯,置于反应容器中,加入与烯丙基化合物等重量的有机锂试剂,在保护气体保护下升温进行反应,控制最高反应温度为100~150℃,并保温反应2~8小时,反应结束后,过滤除去不溶物,蒸除溶剂,得到高陶瓷产率聚碳硅烷;所述的烯丙基化合物为3‑取代‑1‑丙烯。
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