[发明专利]一种改善非线性光学晶体ZnGeP2性能的方法在审
| 申请号： | 201510189486.2 | 申请日： | 2015-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN104818519A | 公开（公告）日： | 2015-08-05 |
| 发明（设计）人： | 任维丽;刘彬;张礼峰;周艳;胡治宁;钟云波;雷作胜;任忠鸣 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B30/04;C30B29/10;G02F1/355 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善非线性光学晶体ZnGeP2性能的方法，将合成好的ZnGeP2多晶原料置于超导强磁体匀强磁场和梯度磁场中进行定向生长，具体步骤为：缓慢升温至1070℃，待多晶料熔化后保温8h后，进行定向凝固，晶体生长速度为0.5μm/s，生长40h后缓慢降温，得到外观完整、裂纹少的ZnGeP2单晶体，其光学和电学性能较无磁场下有明显改善。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 非线性 光学 晶体 zngep sub 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种改善非线性光学晶体ZnGeP2性能的方法，其特征在于具有如下的过程和步骤：a.将ZnGeP2多晶原料密封于抽真空的石英管内，然后在强磁场的匀强磁场和上梯度磁场中进行定向凝固生长，ZnGeP2晶体生长速度为0.5μm/s，定向凝固40h后，得到外观完整、裂纹少的ZnGeP2单晶体，且晶体的红外透过率和电性能得到显著提高；b.所述的ZnGeP2多晶原料在强磁场6T的匀强区域进行定向凝固生长；c.或者所述的ZnGeP2多晶原料需在强磁场的上梯度磁场（磁场中心向磁场强度B方向逐渐减弱，梯度为‑145 T/m）中进行定向凝固生长。
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