[发明专利]一种集成电阻的制造方法在审
| 申请号： | 201510189258.5 | 申请日： | 2015-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN104795316A | 公开（公告）日： | 2015-07-22 |
| 发明（设计）人： | 冯凯;许忠义 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成电阻的制造方法，应用于超大规模集成电路的后段制程中，包括：提供晶片，所述晶片上形成有半导体器件；在所述晶片上形成铝膜和掺杂的多晶硅锗薄膜，所述铝膜与所述掺杂的多晶硅锗薄膜连接，且所述铝膜和掺杂的多晶硅锗薄膜的形成顺序不限。本发明采用掺杂的多晶硅锗薄膜和铝膜连接制备所述集成电阻，所述多晶硅锗薄膜可以在低温条件下进行，沉积温度低于金属铝的软化温度，因此在器件制造过程中无需限定铝膜和多晶硅锗薄膜之间的形成顺序，使得VLSI后段制程更为方便，可以根据实际情况调整集成电阻的制备工序。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 电阻 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电阻的制造方法，其特征在于，包括：提供晶片，所述晶片上形成有半导体器件；在所述晶片上形成铝膜和掺杂的多晶硅锗薄膜，所述铝膜与所述掺杂的多晶硅锗薄膜连接，且所述铝膜和掺杂的多晶硅锗薄膜的形成顺序不限。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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