[发明专利]一种带有表面糙化透光结构的LED芯片及其制作方法

摘要

本发明公开了一种带有表面糙化透光结构的LED芯片及其制作方法，属于LED芯片制造及LED照明领域。所述的带有表面糙化透光结构的LED芯片，包括芯片的衬底、n型半导体结构、i型有源区和p型半导体结构，以及形成在芯片表面的糙化透光结构；所述糙化透光结构是切面角度连续变化的糙化层。所述糙化透光结构在p型半导体结构上，或者在p型半导体结构的钝化层上，或者在p型半导体结构的透明电极上，或者在p型半导体结构的透明有机层上或者在n型半导体结构上，或者在衬底上。本发明可以改善LED器件出光受全反射角的影响，从而提升LED器件的出光效率。

主权项

一种带有表面糙化透光结构的LED芯片的制作方法，其特征在于：如果所述的糙化透光结构在p型半导体结构上，由如下方法制作：(1)在LED芯片p型半导体结构上涂覆有机弹性材料薄膜，有机弹性材料薄膜厚度(2)在有机弹性材料薄膜上溅射或蒸镀金属复合层，底层为黏附金属，厚度在顶层为主金属层，厚度在(3)在加热平台上或烘箱中对上述具有有机弹性材料薄膜和金属复合层的p型半导体结构进行热诱导，在有机弹性材料薄膜中形成切面角度连续变化的糙化结构，热诱导温度80℃～500℃；(4)通过干法或湿法刻蚀将金属复合层去除；(5)通过干法刻蚀将有机弹性材料薄膜中形成的切面角度连续变化糙化结构转移到p型半导体材料中；如果所述糙化透光结构在p型半导体结构的钝化层上，由如下方法制作：A、在LED芯片p型半导体结构上制作一层钝化层；B、在钝化层上涂覆有机弹性材料薄膜，有机弹性材料薄膜厚度C、在弹性有机材料薄膜上溅射或蒸镀金属复合层，底层为黏附金属，厚度在顶层为主金属层，厚度在D、在加热平台上或烘箱中对上述结构进行热诱导，在有机弹性材料薄膜中形成切面角度连续变化糙化结构，热诱导温度80℃～500℃；E、通过干法或湿法刻蚀将金属复合层去除；F、通过干法刻蚀将有机弹性材料薄膜中形成的切面角度连续变化糙化结构转移到钝化层中；如果所述糙化透光结构在p型半导体结构的透明电极上，由如下方法制作：A、在LED芯片p型半导体结构上制作一层透明电极；B、在透明电极上涂覆有机弹性材料薄膜，有机弹性材料薄膜厚度C、在有机弹性材料薄膜上溅射或蒸镀金属复合层，底层为黏附金属，厚度在顶层为主金属层，厚度在D、在加热平台上或烘箱中对上述结构进行热诱导，在有机弹性材料薄膜中形成切面角度连续变化糙化结构，热诱导温度80℃～500℃；E、通过干法或湿法刻蚀将金属复合层去除；F、通过干法刻蚀将有机弹性材料薄膜中形成的切面角度连续变化糙化结构转移到透明电极中；如果所述糙化透光结构在p型半导体结构的透明有机层上，由如下方法制作：A、在LED芯片p型半导体结构上涂覆透明有机弹性材料薄膜，薄膜厚度B、在透明有机弹性材料薄膜上溅射或蒸镀金属复合层，底层为黏附金属，厚度在顶层为主金属层，厚度在C、在加热平台上或烘箱中对上述结构进行热诱导，在透明有机弹性材料薄膜中形成切面角度连续变化的糙化结构，热诱导温度80℃～500℃；D、通过干法或湿法刻蚀将金属复合层去除；如果所述的糙化透光结构在n型半导体结构上，由如下方法制作：A、将LED芯片p型半导体结构键合或粘接到一固体结构上，然后将芯片的衬底通过机械减薄、湿法腐蚀、干法刻蚀或激光剥离方法去除，暴露出n型半导体结构；B、在LED芯片n型半导体结构上涂覆有机弹性材料薄膜，有机弹性材料薄膜厚度C、在有机弹性材料薄膜上溅射或蒸镀金属复合层，底层为黏附金属，厚度在顶层为主金属层，厚度在D、在加热平台上或烘箱中对上述具有有机弹性材料薄膜和金属复合层的n型半导体结构进行热诱导，在有机弹性材料薄膜中形成切面角度连续变化的糙化结构，热诱导温度80℃～500℃；E、通过干法或湿法刻蚀将金属复合层去除；F、通过干法刻蚀将有机弹性材料薄膜中形成的切面角度连续变化糙化结构转移到n型半导体结构材料中；如果所述的糙化透光结构在芯片的衬底上，由如下方法制作：A、在LED芯片的衬底上涂覆有机弹性材料薄膜，有机弹性材料薄膜厚度B、在有机弹性材料薄膜上溅射或蒸镀金属复合层，底层为黏附金属，厚度在顶层为主金属层，厚度在C、在加热平台上或烘箱中对上述具有有机弹性材料薄膜和金属复合层的芯片衬底进行热诱导，在有机弹性材料薄膜中形成切面角度连续变化的糙化结构，热诱导温度80℃～500℃；D、通过干法或湿法刻蚀将金属复合层去除；E、通过干法刻蚀将有机弹性材料薄膜中形成的切面角度连续变化糙化结构转移到芯片衬底材料中。