[发明专利]绝缘栅双极晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201510188847.1 | 申请日： | 2015-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN106158939A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 陈鲁夫;陈柏安;伊牧 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 汤在彦 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法，其中，绝缘栅双极晶体管包括第一掺杂层、第一载子存储层、第二掺杂层、发射极层、沟槽、栅极、第二载子存储层、集电极层、发射极电极以及集电极电极。第一掺杂层包括彼此相对的一第一表面以及一第二表面。第一载子存储层设置于第一掺杂层的第一表面上。第二掺杂层设置于第一载子存储层上。沟槽穿透第二掺杂层以及第一载子存储层。第二载子存储层设置于沟槽与第一掺杂层之间。集电极层接触第一掺杂层的第二表面。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 双极晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于，该绝缘栅双极晶体管包括：一第一掺杂层，具有一第一导电类型，包括彼此相对的一第一表面以及一第二表面；一第一载子存储层，具有该第一导电类型，设置于该第一掺杂层的该第一表面上；一第二掺杂层，具有一第二导电类型，设置于该第一载子存储层上；一发射极层，具有该第一导电类型，设置于该第二掺杂层之中；一沟槽，穿透该第二掺杂层以及该第一载子存储层；一栅极，设置于该沟槽之中；一第二载子存储层，具有该第一导电类型，设置于该沟槽与该第一掺杂层之间，其中该第二载子存储层与该第一掺杂层的该第二表面的间距不同于该第一载子存储层与该第一掺杂层的该第二表面的间距；一集电极层，具有该第二导电类型，接触该第一掺杂层的该第二表面；一发射极电极，电性接触该发射极层；以及一集电极电极，电性接触该集电极层。
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