[发明专利]用于FinFET隔离的方法和结构

摘要

本发明公开了具有有效的FinFET隔离的半导体器件及其形成方法。该方法包括接收具有有源鳍的衬底，多个伪栅极堆叠件位于衬底上方并且与鳍接合，并且第一介电部件位于衬底上方并且将伪栅极堆叠件分隔开。该方法还包括去除伪栅极堆叠件，从而形成分别暴露有源鳍的第一部分和第二部分的第一沟槽和第二沟槽。该方法还包括去除有源鳍的第一部分以及在第二沟槽中形成栅极堆叠件，栅极堆叠件与有源鳍的第二部分接合。该方法还包括用第二介电材料填充第一沟槽，第二介电材料有效地隔离有源鳍的第二部分。本发明涉及用于FinFET隔离的方法和结构。

主权项

1.一种形成半导体器件的方法，包括：接收具有有源鳍的衬底，多个伪栅极堆叠件位于所述衬底上方并且与所述有源鳍接合，并且第一介电部件位于所述衬底上方并且位于所述伪栅极堆叠件之间；去除所述伪栅极堆叠件，从而形成第一沟槽和第二沟槽，其中，所述第一沟槽和所述第二沟槽分别暴露所述有源鳍的第一部分和第二部分；去除所述有源鳍的所述第一部分；以及在所述第二沟槽中形成栅极堆叠件，所述栅极堆叠件与所述有源鳍的所述第二部分接合。