[发明专利]浅沟槽隔离结构

摘要

本发明提供一种浅沟槽隔离结构。在本发明实施例中，浅沟槽隔离结构包含半导体基板、沟槽、第一突出绝缘材料及第二突出绝缘材料。沟槽具有第一侧壁以及相对于第一侧壁的第二侧壁，第一侧壁与第二侧壁向下延伸至沟槽的底部。第一突出绝缘材料沉积于第一侧壁上。第二突出绝缘材料沉积于第二侧壁上。第一突出绝缘材料与第二突出绝缘材料邻接，并形成邻近沟槽底部的孔洞，孔洞形成于低于沟槽深度的三分之一的位置，或孔洞形成于低于沟槽深度的四分之一的位置。本发明实施例的浅沟槽隔离结构特别适用于具有大高宽比的沟槽、间隙等的基板中。形成在邻近沟槽底部的多个孔洞具有良好绝缘效果，这是基于孔洞所包含的空气的介电常数仅为1。

主权项

1.一种浅沟槽隔离结构，其特征在于，包含：一半导体基板；一沟槽，该沟槽具有一第一侧壁以及一相对于该第一侧壁的第二侧壁，该第一侧壁与该第二侧壁向下延伸至该沟槽的底部；一第一突出绝缘材料，该第一突出绝缘材料沉积于该第一侧壁上；以及一第二突出绝缘材料，该第二突出绝缘材料沉积于该第二侧壁上；其中该第一突出绝缘材料与该第二突出绝缘材料邻接，并形成一邻近该沟槽底部的孔洞，该孔洞形成于一低于该沟槽深度的三分之一的位置，或该孔洞形成于一低于该沟槽深度的四分之一的位置，该沟槽的高宽比为5比1、6比1、7比1、8比1、9比1、10比1、11比1或12比1。