[发明专利]一种表面栅型静电感应晶体管

摘要

本发明涉及一种小功率的常关型表面栅型静电感应晶体管（SIT）及制造方法。本发明的晶体管由：漏极、位于漏极之上的N⁺低阻单晶的衬底、位于N⁺低阻单晶的衬底之上的N^-高阻外延层和位于N^-高阻外延层内的相互并联的多个SIT单元并联而构成，其中的有源区采用短沟道设计。本发明的器件可在相应的工艺支持下使器件栅体杂质浓度高且杂质分布更加均匀，降低了栅体自身的压降，增加了栅控灵敏度，提高了器件跨导，同时栅源面积减小，降低栅源寄生电容，增大SIT工作频率。相对于现有技术，本发明的短沟道设计取得了彻底的革命性的改进。

主权项

一种表面栅型静电感应晶体管，由：漏极、位于漏极之上的N⁺低阻单晶的衬底、位于N⁺低阻单晶的衬底之上的N^‑高阻外延层和位于N^‑高阻外延层内的相互并联的多个SIT单元并联而构成，其中每个SIT单元包括：位于栅区上的SiO₂层，各SiO₂层间的源区，和P⁺的栅区，至少有一个SIT单元的有源区上开设有引线孔并设置有与栅区电连通的引线，其特征在于有源区采用短沟道设计，沟道长度＜5μm，栅区掺杂浓度为5×10¹⁹cm^‑3~1×10²⁰ cm^‑3，源区掺杂浓度为1×10²⁰ cm^‑3~5×10²⁰ cm^‑3。