[发明专利]半导体器件制作方法、半导体器件及电子装置有效
| 申请号： | 201510179852.6 | 申请日： | 2015-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN106158621B | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 李敏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;H01L21/768;H01L23/52;H01L27/11521 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制作方法，其包括：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成闪存区字线多晶硅层；执行平坦化工艺，以平坦化所述字线多晶硅层；执行热处理工艺以氧化所述字线多晶硅层的表层和多晶硅残渣，形成缓冲层；去除所述缓冲层；执行字线回刻以获得期望高度的多晶硅层。本发明提出的半导体器件的制作方法，在字线回刻之前通过氧化字线多晶硅层的表层形成缓冲层，并且由于在形成缓冲层的过程中，一并将字线多晶硅平坦化中产生的多晶硅残渣氧化，因而可随后通过去除所述缓冲层一并将字线多晶硅平坦化中产生的多晶硅残渣去除，解决目前字线平坦化后容易出现两个字线中间的多晶硅高度较高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成闪存区栅极结构、栅极间隙壁和字线多晶硅层；执行平坦化工艺，以平坦化所述字线多晶硅层，所述平坦化工艺过研磨的量为15％～30％，以确保控制栅极顶部没有残余的多晶硅；执行热处理工艺以氧化所述字线多晶硅层的表层和多晶硅残渣，形成缓冲层；去除所述缓冲层；执行字线回刻以获得期望高度的多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
