[发明专利]半导体器件制作方法、半导体器件及电子装置有效
| 申请号： | 201510176872.8 | 申请日： | 2015-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN106158730B | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 陈林 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制作方法，其包括下述步骤：一种半导体器件的制作方法，其包括下述步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有至少一个接触孔开口；形成覆盖所述接触孔开口侧壁和底部的粘附层；在所述粘附层上形成保护层；在所述保护层上沉积金属层。本发明提供的半导体器件制作方法，在接触孔内填充金属(金属钨)之前，先形成一层保护层，这样在后续通过化学气相沉积形成金属钨层时，可避免WF6与接触孔底部的硅反应，进而损坏硅衬底，导致良率下降。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有至少一个接触孔开口；形成覆盖所述接触孔开口侧壁和底部的粘附层；在所述粘附层上形成保护层，所述保护层为含硼非晶硅层，所述保护层通过B2H6和SiH4反应形成；在所述保护层上沉积金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
