[发明专利]一种石墨烯薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201510175961.0 申请日: 2015-04-14
公开(公告)号: CN104828808B 公开(公告)日: 2017-07-18
发明(设计)人: 武德珍;张梦颖;田国峰;王子琦;齐胜利;赖超英 申请(专利权)人: 北京化工大学
主分类号: C01B32/184 分类号: C01B32/184;C04B35/52;C04B35/622
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司11203 代理人: 张慧
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种石墨烯薄膜的制备方法,属于石墨烯薄膜技术领域。首先将石墨烯或石墨片粉末均匀撒在固定不动或匀速向前运动的纸基、塑料基薄膜或钢板上,进而经过多辊滚压,粉末经过机械力压制成薄膜,制备出石墨烯或石墨片薄膜;将压制后薄膜成卷或分张固定于石墨炉中,在惰性气体保护下进行高温处理,结束后自然冷却,即得完全石墨化的石墨烯薄膜。本发明方法在不损失薄膜重量和不改变薄膜形貌及厚度基础上,通过高温处理获得结构完善的石墨烯薄膜,有效降低其方阻,使其导热系数大幅度提高。本发明的实施过程十分简单,易于流程化,无污染,工业前景良好。
搜索关键词: 一种 石墨 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种石墨烯薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:首先将石墨烯或石墨片粉末均匀撒在固定不动或匀速向前运动的纸基、塑料基薄膜或钢带基体上,进而经过多辊滚压,粉末通过机械力压制成薄膜,制备出石墨烯或石墨片薄膜;将压制的薄膜成卷或分张固定于石墨炉中,在惰性气体保护下进行高温处理,结束后自然冷却,即得完全石墨化的高导热高导电石墨烯薄膜;高温处理条件为升温速率2‑30℃/min,温度为1000‑2800℃,且在最终温度下保温10‑180min。
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