[发明专利]具有静电放电保护结构的半导体器件

摘要

本发明涉及具有静电放电保护结构的半导体器件。一种半导体器件包括半导体基体，该半导体基体具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。半导体器件进一步包含半导体基体的第一表面上的第一隔离层和第一隔离层上的第一静电放电保护结构。第一静电放电保护结构具有第一端子和第二端子。第二隔离层被提供在静电放电保护结构上。第二隔离层上的栅极接触区域被电耦合到第一静电放电保护结构的第一端子。电接触结构被布置在栅极接触区域与半导体基体之间的重叠区域中。电接触结构被电耦合到第一静电放电保护结构的第二端子并且与栅极接触区域电隔离。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体基体，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述半导体基体的第一表面上的第一隔离层，所述第一隔离层上的第一静电放电保护结构，所述第一静电放电保护结构具有第一端子和第二端子，所述第一静电放电保护结构上的第二隔离层，第二隔离层上的栅极接触区域，所述栅极接触区域被电耦合到所述第一静电放电保护结构的第一端子，以及电接触结构，被布置在所述栅极接触区域与所述半导体基体之间的重叠区域中，所述电接触结构被电耦合到所述第一静电放电保护结构的第二端子并且与所述栅极接触区域电隔离，以及所述第二隔离层上的源极接触区域，所述源极接触区域被电耦合至所述电接触结构；其中所述栅极接触区域和所述源极接触区域是相同布线层级内的相同图案化金属布线层的分离部分，并且其中所述半导体器件的漏极区设置在所述半导体基体的第二表面处。