[发明专利]一种原位大面积合成氧化亚锡半导体光电薄膜材料的方法

摘要

本发明所要解决的问题是克服目前制备SnO需要依靠复杂设备、苛刻沉积条件等缺点，提供了一种简单方法原位制备SnO半导体光电薄膜材料的方法，制备成本低，能大面积成膜，具有很好的应用前景。本申请采用元素直接反应的方法，将溅射在不同基底、不同厚度的Sn薄膜(50nm～400nm)置于管式炉中，经过100℃～400℃煅烧，使单质Sn薄膜与空气中的O2发生反应生成致密均匀的SnO薄膜。不同温度、不同厚度的SnO薄膜的光吸收能力、表面形貌不同，拓宽了SnO在光电材料中的应用。该方法简单有效，对制备条件要求低，不需要复杂的制备条件，有利于低成本大规模的制备SnO半导体光电薄膜材料。

主权项

一种大面积合成氧化亚锡光电薄膜材料的方法，其特点在于：在基底材料上直流溅射单质Sn薄膜，在空气中加热100℃～400℃，经过15min～2h的反应，就在基底材料表面原位生长出SnO半导体光电薄膜材料。