[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201510172587.9 | 申请日： | 2015-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN104979458B | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 藏本雅史;井村俊文;谷定知季 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/56 | 分类号： | H01L33/56;H01L33/52 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张玉玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题是提供一种抑制了将半导体元件粘接于基体的粘接材料的润湿扩展的半导体装置。本发明的解决方法是一种半导体装置(100)，其是通过粘接材料(30)使半导体元件(20)粘接在基体(10)上而成的半导体装置，其特征在于，上述粘接材料(30)含有经表面处理后的粒子(40)或与分散剂共存的粒子(40)，上述粘接材料的边缘部(301)的至少一部分是上述粒子(40)偏在的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其是通过粘接材料使半导体元件粘接在基体上而成的半导体装置，所述粘接材料包含形成于所述半导体元件的外侧的焊角，其中，所述粘接材料含有经表面处理后的粒子或与分散剂共存的粒子，在所述焊角的边缘部的弯月形端部中，所述粒子的粒子浓度局部地升高，所述粒子偏在于所述焊角的边缘部的弯月形端部的表层区域，所述粒子偏在的区域是所述焊角的边缘部的弯月形端部的表层区域的全部，所述粒子为粒径5nm以上且50nm以下的纳米粒子。
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