[发明专利]一种金属纳米线的制备方法在审
| 申请号： | 201510169318.7 | 申请日： | 2015-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN106154744A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 房育涛;戴隆贵;乐艮;贾海强;陈弘 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇;王博 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明一种金属纳米线的制备方法，包括如下步骤：步骤A：制备多层胶结构，所述多层胶结构从下至上依次为衬底(1)、第一光刻胶层(2)、金属插层(3)和第二光刻胶层(4)；步骤B：采用激光干涉曝光技术在所述第二光刻胶层(4)制备纳米光刻胶光栅图形；步骤C：将所述第二光刻胶层(4)的纳米光刻胶光栅图形反转至所述第一光刻胶层(2)；步骤D：在所述第一光刻胶层(2)的纳米光刻胶光栅图形的基础上制备金属纳米线。该方法能够大面积制备大高宽比的精细金属纳米线，成本低、效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金属纳米线的制备方法，包括如下步骤：步骤A：制备多层胶结构，所述多层胶结构从下至上依次为衬底(1)、第一光刻胶层(2)、金属插层(3)和第二光刻胶层(4)；步骤B：采用激光干涉曝光技术在所述第二光刻胶层(4)制备纳米光刻胶光栅图形；步骤C：将所述第二光刻胶层(4)的纳米光刻胶光栅图形反转至所述第一光刻胶层(2)；步骤D：在所述第一光刻胶层(2)的纳米光刻胶光栅图形的基础上制备金属纳米线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院物理研究所，未经中国科学院物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510169318.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种唱歌评测方法及系统
- 下一篇：载波聚合中的PUCCH资源配置方法及其设备
