[发明专利]多晶硅薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板

摘要

本发明的实施例提供一种多晶硅薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板，涉及显示技术领域，可有效防止短沟道效应。多晶硅薄膜晶体管的制备方法，包括在基板上形成栅极、源极和漏极以及有源层；形成有源层包括：在基板上形成多晶硅层，其包括沟道区和扩展区；对扩展区进行离子注入工艺，形成靠近沟道区的轻掺杂区和源极区和漏极区；在形成轻掺杂区前或形成轻掺杂区后，采用晕环离子注入工艺在沟道区靠近轻掺杂区位置处形成晕环区；其中，注入晕环区的离子类型与轻掺杂区的离子类型相反，注入晕环区的离子能量大于轻掺杂区的离子能量，剂量小轻掺杂区的离子剂量。用于多晶硅薄膜晶体管及包括其的阵列基板、显示装置的制造。

主权项

一种多晶硅薄膜晶体管的制备方法，包括：在基板上形成栅极、源极和漏极、以及有源层；其特征在于，形成所述有源层包括：在所述基板上形成多晶硅层，所述多晶硅层包括沟道区和扩展区；对所述扩展区进行离子注入工艺，形成靠近所述沟道区两侧的轻掺杂区和分别位于两侧轻掺杂区远离所述沟道区的源极区和漏极区；采用晕环离子注入工艺，在所述沟道区靠近所述轻掺杂区位置处形成晕环区；其中，注入所述晕环区的离子类型与所述轻掺杂区的离子类型相反，注入所述晕环区的离子能量大于注入所述轻掺杂区的离子能量，注入所述晕环区的离子剂量小于注入所述轻掺杂区的离子剂量。