[发明专利]扩散电势二极管

摘要

本发明公开了一种扩散电势二极管，该扩散电势二极管是n⁺-n半导体或p⁺-p半导体，其中第一n⁺-n半导体串联连接第二n⁺-n半导体，该第一n⁺-n半导体与该第二n⁺-n半导体各包含一n⁺半导体与一n半导体，在该n⁺半导体形成一阳极端，以及在该n半导体形成一阴极端；或，第一p⁺-p半导体串联连接第二p⁺-p半导体，该第一p⁺-p半导体与该第二p⁺-p半导体各包含一p⁺半导体与一p半导体，该p⁺半导体连接该p半导体，在该p⁺半导体形成阳极端，以及在该p半导体形成阴极端。本发明利用n⁺-n半导体或p⁺-p半导体的电性特征制成电子组件，应用于各种电路中，例如电池电路、集成电路、内存电路及各种微电子电路。

主权项

一种扩散电势二极管，其特征在于，其包括：一n⁺半导体与一n半导体，该n⁺半导体连接该n半导体，在该n⁺半导体形成一阳极端，以及在该n半导体形成一阴极端。