[发明专利]晶体硅太阳能电池的扩散后处理工艺

摘要

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的扩散后处理工艺，在炉管扩散之后，通过光照快速热处理，对硅片进行氧化处理，在硅片表面生成一层氧化膜。本发明采用扩散后的过氧化，能够将严重的死层变成氧化层，在随后的湿化学清洗中，这部分氧化层被HF腐蚀剥离，这样有效地去除了部分扩散死层，能够降低电池表面少数载流子的复合；同时，炉管扩散之后的过氧化处理，使微观上局部不均匀的磷（或硼）浓度分布得到改善，提高p-n结的均匀性，从而提升电池效率。而且本发明采用低温快速氧化，氧化层在很短的时间内形成，不会导致硅片体内产生缺陷，也不会明显影响磷掺杂曲线。

主权项

晶体硅太阳能电池的扩散后处理工艺，其特征在于，在炉管扩散之后，通过光照快速热处理，对硅片进行氧化处理，在硅片表面生成一层氧化膜。