[发明专利]感光元件及其制备方法有效
| 申请号： | 201510162031.1 | 申请日： | 2015-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN104867950B | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 陈杰峰 | 申请（专利权）人： | 联想（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 安之斐 |
| 地址： | 100085*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种感光元件，包括：基底；感光单元，位于所述基底上，包括由多个感光像素组成的像素阵列；微透镜单元，包括多个单色微透镜，所述单色微透镜位于所述感光像素上，配置来使特定颜色的光入射到与所述特定颜色对应的所述感光像素上；以及格栅挡板，位于所述基底上并形成在所述感光像素之间，其中所述格栅挡板由不反光的导电材料形成并且被形成为与所述像素阵列对应的网格形状，配置来使每个所述感光像素中产生的漏电流流向所述基底并且遮挡各个像素之间的杂散光。 | ||
| 搜索关键词： | 感光 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种感光元件，包括：基底；感光单元，位于所述基底上，包括由多个感光像素组成的像素阵列；微透镜单元，包括多个单色微透镜，所述单色微透镜位于所述感光像素上，配置来使特定颜色的光入射到与所述特定颜色对应的所述感光像素上；以及格栅挡板，位于所述基底上并形成在所述感光像素之间，其中所述格栅挡板由不反光的导电材料形成并且被形成为与所述像素阵列对应的网格形状，配置来使每个所述感光像素中产生的漏电流流向所述基底并且遮挡各个像素之间的杂散光；其中，所述格栅挡板作为正极端子与作为负极端子的所述基底构成正向二极管结构，使得所述格栅挡板接收每个所述感光像素中产生的漏电流并将其导向所述基底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联想（北京）有限公司，未经联想（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510162031.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
