[发明专利]一种数据存储模块的实现方法

摘要

本发明公开了一种数据存储模块的实现方法，它以意法半导体的STM32F407和三星公司K9MDG08U5M构成的存储模块为基础，首先通过ARM使能NAND FLASH片选信号并判断状态信号，将外围设备传输的数据通过串口中断方式接收，最终经过二级缓存之后存入NAND FLASH。本发明通过自定义片选解决了FSMC（可变静态存储控制器）中NAND FLASH片选不足的问题，保证大容量NAND FLASH可以充分使用；通过定义最大容忍时间来判断是否填充不足一页的数据，解决了NAND FLASH不足一页数据无法存储的问题；而且通过实时更新并存储NAND FLASH操作地址来保证存储模块重新上电之后可以继续存储。

主权项

1.一种数据存储模块的实现方法，其特征在于具体步骤如下：步骤1：将ARM处理器(1)上NAND FLASH(2)片选信号和状态信号对应相连的引脚设置为输出和输入模式，通过输出使能NAND FLASH(2)，通过输入判断NAND FLASH(2)的状态；步骤2：ARM处理器(1)接受外围设备采集的数据，存入第一级数据缓存，当存入的数据量不足NAND FLASH(2)的一页时，将第一级数据缓存填充至一页大小；步骤3：当数据存储量满NAND FLASH(2)的一页大小后，将所有数据传递至第二级数据缓存；步骤4：地址缓存通过可变静态存储控制器FSMC(7)读出地址存储空间(8)中的NAND FLASH(2)的操作地址，根据操作地址通过FSMC(7)将第二级数据缓存中的数据存入NAND FLASH(2)的数据存储空间，并更新该操作地址；地址更新完成后，将其存入地址存储空间(8)。