[发明专利]一种SRAM器件及其电子装置有效
| 申请号： | 201510156122.4 | 申请日： | 2015-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN106158865B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 张弓 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种SRAM器件及其电子装置，所述SRAM器件具有由多个SRAM单元构成的矩阵结构，所述SRAM单元包括至少一PG晶体管、至少一PD晶体管和至少一PU晶体管，其中所述PG晶体管的鳍片沟道的表面晶向为[110]；所述PD晶体管和所述PU晶体管的鳍片沟道的表面晶向为[100]。根据本发明，在提升所述SRAM的静态噪声容限和写容限的同时，不增加制备所述SRAM的工艺难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sram 器件 及其 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种SRAM器件，所述SRAM器件具有由多个SRAM单元构成的矩阵结构，所述SRAM单元包括至少一PG晶体管、至少一PD晶体管和至少一PU晶体管，其中所述PG晶体管的鳍片沟道的表面晶向为[110]；所述PD晶体管和所述PU晶体管的鳍片沟道的表面晶向为[100]，所述PD晶体管和所述PU晶体管的鳍片沟道的表面晶向与所述PG晶体管的鳍片沟道的表面晶向之间的夹角为90度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
