[发明专利]基板处理装置

摘要

本发明提供一种基板处理装置。该基板处理装置用于对基板供给处理气体来对基板进行处理，其中，该基板处理装置包括：电极，其以在上述基板保持件的长度方向上延伸的方式设置，以便对上述处理气体供给电力而使上述处理气体活性化；构造物，其以在排列有上述基板的高度区域内在上述基板保持件的长度方向上延伸的方式设置在上述反应容器内；以及排气口，其用于对上述反应容器内进行真空排气，上述构造物配置于在俯视上述反应容器时、从上述反应容器的中心部看来向左方或右方与上述电极中的距该构造物最近的部位分别分开40度以上的区域。

主权项

1.一种基板处理装置，其是在形成为真空气氛的立式的反应容器内对基板供给处理气体来进行处理的装置，该基板是被基板保持件保持成搁板状的、直径为300mm以上的多个半导体晶圆，其中，该基板处理装置包括：电极，其以在上述基板保持件的长度方向上延伸的方式设置，以便对上述处理气体供给电力而使上述处理气体活性化；构造物，其以在排列有上述基板的高度区域内在上述基板保持件的长度方向上延伸的方式设置在上述反应容器内；以及排气口，其用于对上述反应容器内进行真空排气，上述构造物配置于在俯视上述反应容器时、从上述反应容器的中心部看来向左方或右方与上述电极中的距该构造物最近的部位分别分开40度以上的区域，上述构造物配置在基于供给至上述电极的电力所产生的电场强度小于8.12×102V/m的区域，其中，该基板处理装置还包括：原料气体喷嘴，其以在上述基板的排列方向上延伸的方式设置在上述反应容器内，并且沿着该原料气体喷嘴的长度方向形成有气体喷出孔，该原料气体喷嘴用于对上述基板供给原料气体而使原料气体吸附于上述基板；以及反应气体喷嘴，其在上述反应容器内在上述基板的排列方向上延伸，并且沿着该反应气体喷嘴的长度方向形成有气体喷出孔，该反应气体喷嘴用于与上述原料的供给交替地供给与上述原料气体发生反应的反应气体而使反应生成物层叠在上述基板上，上述反应气体与处理气体相当，上述原料气体喷嘴与上述构造物相当，上述排气口以从侧方对该反应容器内部进行真空排气的方式设置，上述原料气体喷嘴设置于在俯视上述反应容器时、从上述反应容器的中心部看来与上述排气口的左右方向上的中心部形成90度以上且160度以下的张角的位置。