[发明专利]一种生长单相外延m面ZnOS三元合金薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种生长单相外延m面ZnOS三元合金薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤采用ZnS作为溅射靶材，采用m面蓝宝石作为衬底；清洗靶材和衬底，将靶材和衬底分别固定在靶台和样品台上装入真空室，并抽真空至真空度为5×10‑4Pa以下；设定衬底温度为400‑700℃；开启氧气阀，使真空室内的氧压稳定在0.02‑5Pa；设定激光器的激光脉冲能量、激光脉冲频率和激光脉冲个数；启动靶台和样品台的自转，开启激光器，激光预溅射靶材2‑3分钟后开始沉积，沉积完成后关闭激光器；让沉积的薄膜自然冷却至室温后再取出真空室。本发明的有益效果制备工艺简单，所需设备要求低，且制备方法易于控制。

主权项

一种生长单相外延m面ZnOS三元合金薄膜的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤1，采用ZnS作为溅射靶材，采用m面蓝宝石作为衬底；步骤2，清洗靶材和衬底，将所述靶材和所述衬底分别固定在靶台和样品台上装入真空室，调整所述样品台和所述靶台的间距，并开启真空泵抽真空至真空度为5×10‑4Pa；步骤3，开启衬底加热器将衬底升温，调节生长温度为400‑700℃；步骤4，通入氧气，调整氧压为0.02‑5Pa；步骤5，开启激光器，设定激光器的激光脉冲频率为5Hz，设定激光脉冲能量为350mJ/pulse；步骤6，启动所述靶台和所述样品台的自转，开启所述激光器，激光溅射靶材2‑3分钟，旋开样品台的挡板，开始沉积薄膜，沉积完成后关闭所述激光器，关闭所述氧气阀和所述衬底加热器，让沉积的薄膜自然冷却至室温后再取出真空室。