[发明专利]一种四元LED芯片湿法蚀刻方法在审
| 申请号： | 201510146939.3 | 申请日： | 2015-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN104821349A | 公开（公告）日： | 2015-08-05 |
| 发明（设计）人： | 薛娜 | 申请（专利权）人： | 山西南烨立碁光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙) 14109 | 代理人： | 崔雪花 |
| 地址： | 046000 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明一种四元LED芯片湿法蚀刻方法，属于LED蚀刻技术领域；解决的技术问题是提供了一种四元LED芯片湿法蚀刻方法，采用多次反应多次蘸水的方法，使芯片表面蚀刻的更加干净，无残留；采用超声波震荡方式，使被蚀刻表面更加均匀，产品质量提高；采用的技术方案为：一种四元LED芯片湿法蚀刻方法，按照以下步骤进行：将带有掩膜的待蚀刻材料放入特定的化学蚀刻液内；将待蚀刻材料停留在化学蚀刻液内45±2s后在水中蘸水5次；将蘸水后的待蚀刻材料重新放入化学蚀刻液内停留35±2s后再次在水中蘸水5次；将再次蘸水后的待蚀刻材料再次放入化学蚀刻液内停留25±2s后放入水槽中水洗；将水洗后的材料放入热氮中吹干。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 湿法 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
一种四元LED芯片湿法蚀刻方法，其特征在于：按照以下步骤进行：a、将带有掩膜的待蚀刻材料放入特定的化学蚀刻液内；b、将待蚀刻材料停留在化学蚀刻液内45±2s；c、45±2s后将带蚀刻材料取出，然后在水中蘸水5次；d、将蘸水后的待蚀刻材料重新放入化学蚀刻液内停留35±2s；e、35±2s后将带蚀刻材料取出，再次在水中蘸水5次；f、将再次蘸水后的待蚀刻材料再次放入化学蚀刻液内停留25±2s；g、将蚀刻完成的材料放入水槽中水洗；h、将水洗后的材料放入热氮中吹干。
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