[发明专利]一种改进的共源共栅射频功率放大器在审
| 申请号： | 201510146793.2 | 申请日： | 2015-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN104702226A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 陈高鹏;陈俊;刘磊;张辉;黄清华 | 申请（专利权）人： | 宜确半导体（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/20 | 分类号： | H03F3/20 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改进的共源共栅射频功率放大器，在衬底上横向设有共源级晶体管栅极G1、共源级晶体管源极S、共栅级晶体管栅极G2、共栅级晶体管漏极D；射频输入端RFin通过金属走线连接共源级晶体管栅极G1，共源级晶体管源极S通过金属走线连接接地孔阵列，共栅级晶体管栅极G2通过金属走线连接偏置电路，共栅级晶体管漏极D通过金属走线连接射频输出端RFout。采用共源共栅结构，并优化版图结构，使得该射频功率放大器具有高增益、高功率、高线性度、高效率等性能优势，同时又保持与单晶体管共源结构射频功率放大器相当的版图面积，使其具有了成本优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改进 共源共栅 射频 功率放大器 | ||
【主权项】：
一种改进的共源共栅射频功率放大器，其特征在于，在衬底上横向设有共源级晶体管栅极G1、共源级晶体管源极S、共栅级晶体管栅极G2、共栅级晶体管漏极D；射频输入端RFin通过金属走线连接共源级晶体管栅极G1，共源级晶体管源极S通过金属走线连接接地孔阵列，共栅级晶体管栅极G2通过金属走线连接偏置电路，共栅级晶体管漏极D通过金属走线连接射频输出端RFout。
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