[发明专利]一种高致密度ITO靶材的烧结方法

摘要

一种高致密度ITO靶材的烧结方法，先将ITO坯体放进干燥脱脂炉中进行干燥脱脂，再将ITO坯体放在承烧板上并送入氧压炉中，以2~5°C/min的速度升温至500~800°C时第一保温1~5h并通入氧气，以0.5~2°C/min的速度升温至1000~1400°C时第二保温1~5h，氧气流量调整8~30L/min，再以0.5~2°C/min的速度升温至1500~1650°C时第三保温20~60h，氧气流量调整5~20L/min，之后以0.5~2°C/min的速度降温至1200°C，此时关闭氧气并使氧压炉内的压力降至常压时再对氧压炉实施自然降温，自然降温后即可得到致密度达到≥99.8%的ITO靶材。

主权项

一种高致密度ITO靶材的烧结方法，ITO是Tin‑doped Indium Oxide的缩写名称，ITO靶材的含义是指一种铟锡氧化物材料，将ITO通过钢模压制和冷等静压后可以得到ITO坯体，烧结方法包含干燥脱脂及承烧烧结两个工序，在干燥脱脂工序中使用到干燥脱脂炉，在承烧烧结工序中使用到氧压炉及承烧板，其特征是：干燥脱脂：将所述ITO坯体放进干燥脱脂炉中进行干燥脱脂，干燥脱脂炉的温度控制在500 ~800°C并保温2~8h；承烧烧结：承烧板的厚度控制在5~30mm，在承烧板的表面设有数个等距的开孔，每个开孔的直径控制在5~20mm；将干燥脱脂后的ITO坯体放在承烧板上并送入氧压炉中，先以2~5°C/min的速度升温至500~800°C时第一保温1~5h，在所述第一保温时段内通入氧气，当氧压炉内的压力达到0.3~0.8MPa时开始即时保持氧气的输入流量，所述第一保温后在以0.5~2°C/min的速度升温至1000~1400°C时第二保温1~5h，在所述第二保温时段内将氧气的输入流量调整到8~30L/min，所述第二保温后再以0.5~2°C/min的速度升温至1500~1650°C时第三保温20~60h，在所述第三保温时段内将氧气的输入流量调整到5~20L/min，所述第三保温结束后以0.5~2°C/min的速度降温至1200°C，此时关闭氧气的输入流量并使氧压炉内的压力降至常压时再对氧压炉实施自然降温，自然降温后即可得到致密度≥99.8%的ITO靶材。