[发明专利]半导体装置的制作方法

摘要

本发明公开一种半导体装置的制作方法，仅需增加一道光掩模，能够提供高压元件较大的间隙壁宽度，对存储器区域及低电压区域内的元件提供较小的间隙壁宽度。本发明主要利用一牺牲保护层，仅覆盖住高电压区域的氮化硅间隙壁，选择性的剥除低电压区域内的氮化硅间隙壁，再去除该牺牲保护层。

主权项

1.一种半导体装置的制作方法，包含有：提供一半导体基材，具有第一区域及第二区域，其中该第一区域与该第二区域互不重叠；分别在该第一区域及该第二区域的该半导体基材上形成一第一栅极结构及一第二栅极结构；分别于该第一栅极结构及该第二栅极结构侧壁上形成一第一偏间隙壁及一第二偏间隙壁；进行一第一离子注入制作工艺，在该半导体基材表面形成一轻掺杂漏极区域；分别于该第一栅极结构及该第二栅极结构侧壁上形成一第一衬垫层及一第二衬垫层；分别于该第一栅极结构及该第二栅极结构侧壁上的该第一衬垫层及该第二衬垫层上形成一第一间隙壁及一第二间隙壁；在该半导体基材上沉积一第三衬垫层，覆盖该第一区域及该第二区域，该第三衬垫层共形的形成在第一间隙壁及该第二间隙壁表面；分别于该第一栅极结构及该第二栅极结构侧壁上的该第三衬垫层上形成一第三间隙壁及一第四间隙壁；形成一牺牲保护层，仅覆盖住该第二区域内的该第二栅极结构以及该第四间隙壁；选择性的剥除该第一区域内的该第三间隙壁；以及去除该牺牲保护层以及部分该第三衬垫层，显露出该第一区域内的该第一间隙壁以及该第二区域内的该第四间隙壁。