[发明专利]一种用于红外探测器的批量倒装回熔焊工艺方法在审
| 申请号： | 201510145228.4 | 申请日： | 2015-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN104752243A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 黄玥;林春;叶振华;丁瑞军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于红外探测器的批量倒装回熔焊工艺方法。该工艺方法包括：对准、加压及批量加热三个步骤。该方法的优点在于可以根据实际需要选用铟、金等多种材料制作焊点，简化了焊点制备工艺，降低了对焊点形貌一致性的要求，同时也克服了回熔焊技术对还原性气氛和表面处理的依赖。此外，数十片或数百片批量的倒装回熔焊有效地提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 红外探测器 批量 倒装 熔焊 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种用于红外探测器的批量倒装回熔焊工艺方法，其特征在于包括以下步骤：1)首先在室温下对待倒焊样品进行对准；2)对待倒焊样品施加一定的压力，其中力的选取根据红外焦平面器件的面积，通常不大于50kg；3)将待倒焊样品依次转移至加热装置中同时进行加热，升温速率在20℃/min～40℃/min，最终温度在200℃～270℃；保持10～15分钟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
