[发明专利]倒装LED芯片及其制造方法

摘要

本发明揭示了一种倒装LED芯片及其制造方法。提供包括蓝宝石衬底，形成于所述蓝宝石衬底正面上的N型氮化镓层、量子阱层和P型氮化镓层的前端结构；在前端结构上形成有欧姆接触层、反射层，然后形成连接N型氮化镓层的第一电极和连接反射层的第二电极，之后在蓝宝石衬底的背面进行减薄，并形成粗糙氧化铝层。相比现有技术，这一层表面粗糙的同衬底材料一致的氧化铝层，达到表面粗化提升出光效率的效果，也克服了现有技术中容易对正面产生影响、成本高等缺陷，因此制备成本低、工艺复杂程度低、易实现大规模量产。

主权项

一种倒装LED芯片的制造方法，包括：提供前端结构，所述前端结构包括蓝宝石衬底，依次形成于所述蓝宝石衬底正面上的N型氮化镓层、量子阱层和P型氮化镓层；在所述前端结构表面上形成欧姆接触层，并进行图案化，暴露出所述P型氮化镓层；在所述欧姆接触层上形成反射层，并进行图案化，暴露出所述P型氮化镓层；刻蚀暴露出的P型氮化镓层、量子阱层形成第一电极接触孔；在所述第一电极接触孔中形成第一电极，并形成与反射层相连接的第二电极；对所述蓝宝石衬底背面进行减薄，并在所述蓝宝石衬底背面形成粗糙氧化铝层。