[发明专利]静电放电防护结构

摘要

本发明提供一种静电放电防护结构，包括主动区、多个栅极结构、第一、二、三防护环以及半导体结构。栅极结构覆盖在主动区上，第一防护环环绕栅极结构以及主动区。半导体结构的第一端通过第一连接导线耦接栅极结构，半导体结构的第二端通过第二连接导线耦接第一防护环。第二防护环环绕半导体结构并电性连接第一连接导线。第三防护环环绕第二防护环，且电性连接第二连接导线。其中，第二防护环与第三防护环的型态互补。基于此，本发明通过内部整合的曾纳二极管来有效的控制静电放电防护结构中晶体管的栅极电压，在不需要增加静电放电防护结构的布局面积的条件下，克服因栅极过驱动现象所造成的晶体管导通不均匀的问题。

主权项

1.一种静电放电防护结构，其特征在于，包括：主动区；多个栅极结构，设置在所述主动区上；第一防护环，环绕该些栅极结构以及所述主动区；半导体结构，具有相对应的第一端及第二端，所述半导体结构的第一端通过第一连接导线耦接该些栅极结构，所述半导体结构的第二端通过一第二连接导线耦接所述第一防护环；第二防护环，环绕所述半导体结构并电性连接所述第一连接导线；以及第三防护环，环绕所述第二防护环，且电性连接所述第二连接导线，其中，所述第二防护环为N型防护环，所述第三防护环为P型防护环，所述第二防护环与所述第三防护环的接触面之间产生P‑N接面，并形成曾纳二极管。