[发明专利]非易失性记忆胞结构及其装置有效
| 申请号： | 201510139856.1 | 申请日： | 2015-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN106158018B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 陈致均;林俊宏;黄正达 | 申请（专利权）人： | 力旺电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 王珊珊 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 非易失性记忆胞结构及其装置。本发明提供非易失性记忆胞结构及其非易失性存储器装置。非易失性记忆胞结构包括基板、第一井区、第二井区、第三井区、至少一第一晶体管、第二晶体管以及第三晶体管。第一至第三井区配置在基板上。第一至第三晶体管依序形成在第一至该第三井区上。该第一至该第三晶体管串联耦接。其中，第一晶体管控制端为浮接，第二晶体管控制端接收偏压电压，第三晶体管控制端耦接至字线信号。另外，第三井区及第二井区为相同形式，且第一井区形式与第三井区的形式互补。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 记忆 结构 及其 装置 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性记忆胞结构，包括：/n基板；/n第一井区，配置于该基板上；/n第二井区，配置于该基板上；/n第三井区，配置在该基板上；/n至少一第一晶体管，形成在该第一井区上，具有第一端耦接至源极线信号；/n第二晶体管，形成在该第二井区上，具有第一端耦接至该第一晶体管的第二端；以及/n第三晶体管，形成在该第三井区上，具有第一端耦接至该第二晶体管的第二端，以及该第三晶体管具有第二端耦接至一位线信号，/n其中，该第一晶体管控制端为浮接的，该第二晶体管的控制端接收偏压电压，且该第三晶体管的控制端耦接至字线信号或Y解码信号，其中，该第三井区及该第二井区为相同形式，且该第一井区形式与该第三井区的形式互补。/n
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