[发明专利]半导体处理设备

摘要

本发明涉及半导体处理技术领域，特别涉及一种半导体处理设备。本发明的半导体处理设备通过特别的反应腔设计，使得所述反应腔既能用于执行原子层沉积工艺又能用于执行等离子增强化学气相沉积工艺，还能执行衬底在位表面处理，从而可以减少半导体处理设备的数量，降低成本，减少设备的占用空间；同时，由于多个工艺可以在同一腔室中完成，无需附加的转运过程，从而可以减少待处理衬底被污染的发生。

主权项

1.一种半导体处理设备，其可以用于进行原子层沉积和等离子增强化学气相沉积，所述半导体处理设备包括反应腔、射频发生器和驱动装置，所述反应腔包括腔体、设置在所述腔体内的气体分配装置和衬底托盘，所述衬底托盘与所述气体分配装置相对设置并限定其二者之间反应空间，所述射频发生器用于在所述反应空间形成等离子体，所述驱动装置用于驱动所述衬底托盘相对所述气体分配装置移动，所述气体分配装置具有面向所述衬底托盘的出气面，所述出气面包括多个出气口，其特征在于：所述反应腔内可以连续进行原子层沉积和等离子体增强化学气相沉积，所述多个出气口包括至少一个第一出气口和至少一个第二出气口，所述多个出气口在所述出气面的排布使所述衬底托盘发生相对于所述气体分配装置的移动时，支撑在所述衬底托盘的衬底依次通过所述第一出气口和所述第二出气口正对的区域；当所述半导体处理设备进行原子层沉积时，所述驱动装置驱动所述衬底托盘移动，第一反应气体通过所述第一出气口进入所述反应空间，第二反应气体通过所述第二出气口进入所述反应空间，从而对支撑在衬底托盘上的衬底进行原子层沉积处理；当所述半导体处理设备进行等离子增强化学气相沉积时，反应气体通过所述多个出气口中的至少一个出气口进入所述反应空间，所述射频发生器在所述反应空间形成等离子体，从而对支撑在衬底托盘上的衬底进行等离子增强化学气相沉积处理。