[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201510136837.3 | 申请日： | 2015-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN105047698B | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 前田茂伸;权兑勇;金相秀;朴在厚 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供了半导体器件。该半导体器件可以包括：场绝缘层，在衬底的顶表面上并包括限定在该场绝缘层中的在第一方向上延伸的沟槽；鳍型有源图案，从所述衬底的所述顶表面延伸并穿过限定在所述场绝缘层中的所述沟槽，所述鳍型有源图案包括接触所述衬底的第一下图案和接触所述第一下图案且从所述衬底突出得比所述场绝缘层远的第一上图案，所述第一上图案包括与所述第一下图案不同的晶格改变材料，所述鳍型有源图案包括第一鳍部分以及在所述第一鳍部分的在所述第一方向上的两侧的第二鳍部分；以及第一栅电极，交叉所述鳍型有源图案并在不同于所述第一方向的第二方向上延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：场绝缘层，在衬底的顶表面上并包括限定在该场绝缘层中的在第一方向上延伸的沟槽；以及鳍型有源图案，从所述衬底的所述顶表面延伸并穿过限定在所述场绝缘层中的所述沟槽，所述鳍型有源图案包括接触所述衬底的第一下图案和接触所述第一下图案且从所述衬底突出得比所述场绝缘层远的第一上图案，所述第一上图案包括与所述第一下图案不同的晶格改变材料，所述鳍型有源图案包括第一鳍部分以及在所述第一鳍部分的在所述第一方向上的两侧的第二鳍部分；以及第一栅电极，交叉所述鳍型有源图案并在不同于所述第一方向的第二方向上延伸。
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