[发明专利]PN结的扩散方法、气体扩散装置和晶体硅太阳能电池片有效
| 申请号: | 201510134303.7 | 申请日: | 2015-03-26 |
| 公开(公告)号: | CN104821272B | 公开(公告)日: | 2018-04-03 |
| 发明(设计)人: | 徐建龙;吕日祥 | 申请(专利权)人: | 江西泰明光伏有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/223 | 分类号: | H01L21/223;H01L31/068;C30B31/18 |
| 代理公司: | 北京天盾知识产权代理有限公司11421 | 代理人: | 陈红燕 |
| 地址: | 330700 江*** | 国省代码: | 江西;36 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种PN结的扩散方法,包括将硅片插到扩散炉内并升至第一预设温度;经扩散炉管向扩散炉通入小氮、氧气和大氮,同时通过变量流量计调控所述小氮的流量,持续第一预设时间;扩散炉内温度升至第二预设温度,并经扩散炉管向扩散炉通入预设含量的氧气和大氮,持续第二预设时间;扩散过程结束,在扩散炉降温后取出硅片。本发明所公开的PN结的扩散方法,通过变量流量计调控所述小氮的流量,从而改变扩散炉内三氯氧磷的浓度,进而改变扩散源进入硅片内部的扩散量,从而形成更明显的浓度梯度,有效的提升太阳能电池片的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词: | pn 扩散 方法 气体 装置 晶体 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种PN结的扩散方法,其特征在于,包括:将硅片插到扩散炉内并升至第一预设温度;经扩散炉管向扩散炉通入小氮、氧气和大氮,同时通过变量流量计调控所述小氮的流量,持续第一预设时间;扩散炉内温度升至第二预设温度,并经扩散炉管向扩散炉通入预设含量的氧气和大氮,持续第二预设时间;扩散过程结束,在扩散炉降温后取出硅片;所述通过变量流量计调控所述小氮的流量的过程为:预设小氮流量初始值ni和小氮流量最终值nf;则所述小氮的流量Q为:其中,所述变量T为第一预设时间,单位为秒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





