[发明专利]晶圆减薄方法有效
| 申请号： | 201510134221.2 | 申请日： | 2015-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN106158580B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 王娉婷 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种晶圆减薄方法，包括：提供一器件晶圆，所述器件晶圆包括一正面以及与所述正面相对的背面；对所述器件晶圆执行第一晶边磨削工艺，磨削所述器件晶圆的晶边，以在所述器件晶圆的晶边形成一侧壁，所述侧壁至少与所述器件晶圆的正面相接；在所述器件晶圆的侧壁形成一保护层；将所述器件晶圆与一承载晶圆贴合，其中所述器件晶圆的正面面向所述承载晶圆；对所述器件晶圆的背面和所述器件晶圆的侧壁上的保护层执行减薄工艺；以及进行第二晶边磨削工艺，去除所述器件晶圆的侧壁上的保护层。采用本发明的制造方法，可以减少或避免减薄晶圆时形成的剥落、硅损伤等缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆减薄 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆减薄方法，包括：/n提供一器件晶圆，所述器件晶圆包括一正面以及与所述正面相对的背面；/n对所述器件晶圆执行第一晶边磨削工艺，磨削所述器件晶圆的晶边，以在所述器件晶圆的晶边形成一侧壁，所述侧壁至少与所述器件晶圆的正面相接；/n在所述器件晶圆的侧壁形成一保护层，以及在所述器件晶圆的正面形成一覆盖层，所述保护层的材料包括氮化物，所述覆盖层的材料包括氧化物，以及所述保护层的厚度为2μm～100μm；/n将所述器件晶圆与一承载晶圆贴合，其中所述器件晶圆的正面面向所述承载晶圆；/n对所述器件晶圆的背面和所述器件晶圆的侧壁上的保护层执行减薄工艺，包括：对所述器件晶圆的背面和所述器件晶圆的侧壁上的保护层执行研磨工艺，以将所述器件晶体的厚度减薄至比预定厚度大
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
