[发明专利]半导体器件及其布局和制造方法

摘要

一种半导体器件包括：具有有源区的衬底、位于有源区上方的栅极结构、位于有源区上方并且电连接至有源区的下部导电层、以及位于下部导电层上方并且电连接至下部导电层的上部导电层。下部导电层与栅极结构至少部分地共高度。下部导电层包括相互间隔开的第一和第二导电区段。上部导电层包括与第一和第二导电区段重叠的第三导电区段。第三导电区段电连接至第一导电区段，并且与第二导电区段电隔离。本发明还涉及半导体器件的布局和制造方法。

主权项

1.一种半导体器件，包括：/n衬底，具有有源区；/n栅极结构，位于所述有源区上方；/n下部导电层，位于所述有源区上方并且电连接至所述有源区，所述下部导电层与所述栅极结构至少部分地共高度，并且所述下部导电层包括相互间隔开的第一导电区段和第二导电区段；以及/n第一介电层，位于所述下部导电层上方，所述第一介电层包括位于所述第一导电区段上方的第一开口和位于所述第二导电区段上方的第二开口，/n上部导电层，位于所述下部导电层上方并且电连接至所述下部导电层，所述上部导电层包括与所述第一导电区段和所述第二导电区段重叠的第三导电区段，所述第一开口中的第三导电区段在所述第一开口的底部处直接电接触所述第一导电区段，/n第二介电层，位于所述第二开口的底部处以使得所述第二开口中的第三导电区段与所述第二导电区段电隔离，所述第二介电层覆盖或不覆盖所述第二开口中的所述第三导电区段的侧壁。/n