[发明专利]PMOS栅极驱动电路有效

专利信息
申请号: 201510131632.6 申请日: 2015-03-24
公开(公告)号: CN104700801B 公开(公告)日: 2016-11-02
发明(设计)人: 戴超 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种PMOS栅极驱动电路,包括级联的多个GOA单元电路,每一级GOA单元电路均包括:上拉控制模块(100)、上拉模块(200)、下传模块(300)、第一下拉模块(400)、自举电容(500)、及下拉维持模块(600);所述上拉控制模块(100)接入一恒压负电位(VSS1),能够降低PMOS器件漏电对第一节点(Q(N))的影响;所述下拉维持模块(600)设置由P型薄膜晶体管构成的双重反相器(F1),并采用特殊的防漏电设计,能够减少第一节点(Q(N))的漏电,避免耗尽型P型薄膜晶体管的电性对反相器输出的影响,提高栅极驱动电路的稳定性,并提高面板的集成度,进一步减小液晶显示面板的边框宽度,尤其适用于对边框宽度有较高要求的小尺寸面板。
搜索关键词: pmos 栅极 驱动 电路
【主权项】:
一种PMOS栅极驱动电路,包括级联的多个GOA单元电路,每一级GOA单元电路均包括:上拉控制模块(100)、上拉模块(200)、下传模块(300)、第一下拉模块(400)、自举电容(500)、及下拉维持模块(600);其特征在于,设N为正整数,在第N级GOA单元电路中:所述上拉控制模块(100)电性连接于第一节点(Q(N))、及下拉维持模块(600);所述上拉控制模块(100)至少包括一个P型薄膜晶体管,至少接入上一级第N‑1级GOA单元电路的级传信号(ST(N‑1))、及恒压负电位(VSS1);所述上拉模块(200)包括:第二十二P型薄膜晶体管(T22),所述第二十二P型薄膜晶体管(T22)的栅极电性连接于第一节点(Q(N)),源极电性连接于第M条时钟信号(CK(M)),漏极输出扫描驱动信号(G(N));所述下传模块(300)包括:第二十一P型薄膜晶体管(T21),所述第二十一P型薄膜晶体管(T21)的栅极电性连接于第一节点(Q(N)),源极电性连接于第M条时钟信号(CK(M)),漏极输出级传信号(ST(N));所述第一下拉模块(400)电性连接于第一节点(Q(N))与扫描驱动信号(G(N)),包括相互串联的第四十P型薄膜晶体管(T40)与第四十一P型薄膜晶体管(T41),用于在非作用期间将第一节点(Q(N))的电位拉到扫描驱动信号(G(N))的电位;所述自举电容(500)的一端电性连接于第一节点(Q(N)),另一端电性连接于扫描驱动信号(G(N));所述下拉维持模块(600)包括:一由多个P型薄膜晶体管构成的反相器(F1),所述反相器(F1)的输入端电性连接于第一节点(Q(N)),输出端电性连接于第二节点(P(N));第三十二P型薄膜晶体管(T32),所述第三十二P型薄膜晶体管(T32)的栅极电性连接于第二节点(P(N)),源极电性连接于第四十一P型薄膜晶体管(T41)的漏极,漏极电性连接于第一恒压正电位(VDD1);第四十二P型薄膜晶体管(T42),所述第四十二P型薄膜晶体管(T42)的栅极电性连接于第二节点(P(N)),漏极电性连接于第一节点(Q(N)),源极电性连接于第八十二P型薄膜晶体管(T82)的漏极;第八十二P型薄膜晶体管(T82),所述第八十二P型薄膜晶体管(T82)的栅极电性连接于第一节点(Q(N)),源极电性连接于恒压负电位(VSS1),漏极电性连接于第八十一P型薄膜晶体管(T81)的漏极;第八十一P型薄膜晶体管(T81),所述第八十一P型薄膜晶体管(T81)的栅极电性连接于第二节点(P(N)),源极电性连接于第二恒压正电位(VDD2),漏极电性连接于第八十二P型薄膜晶体管(T82)的漏极;所述第一恒压正电位(VDD1)低于第二恒压正电位(VDD2)。
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