[发明专利]相邻两个同电位通孔的光学临近修正方法有效
| 申请号： | 201510126616.8 | 申请日： | 2015-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN104808433B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 王丹;于世瑞 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种相邻两个同电位通孔的光学临近修正方法，包括：在对通孔执行光学临近修正之前结合上下层金属线判断相邻两个通孔间的电位关系，并且在相邻两个通孔是同电位关系的情况下将所述相邻两个通孔合并以形成合并通孔；随后再对通孔进行光学临近修正。其中，在所述相邻两个通孔与同一个下层金属线并且所述相邻两个通孔分别与两个不同上层金属线相连的情况下，判断所述相邻两个通孔是同电位关系。 | ||
| 搜索关键词： | 相邻 两个 电位 光学 临近 修正 方法 | ||
【主权项】：
1.一种相邻两个同电位通孔的光学临近修正方法，其特征在于包括：在对通孔执行光学临近修正之前根据所述相邻两个通孔与同一个下层金属线且分别与两个不同上层金属线相连来判断所述相邻两个通孔是同电位关系，并且在相邻两个通孔是同电位关系的情况下将所述相邻两个通孔合并以形成合并通孔；随后再对通孔进行光学临近修正。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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